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Hangzhou Silan Microelectronics SBD20C100F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SBD20C100F |
| EBEE-Teilenummer | E839186 |
| Gehäuse | TO-220F-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 850mV@10A 10A TO-220F-3 Schottky Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schottky Dioden | |
| Datenblatt | Hangzhou Silan Microelectronics SBD20C100F | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@100V | |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 850mV@10A | |
| Current - Rectified | 20A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 150A |
Einkaufsleitfaden
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