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GigaDevice Semicon Beijing GD5F2GQ5UEYIGR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GD5F2GQ5UEYIGR |
| EBEE-Teilenummer | E82880463 |
| Gehäuse | WSON-8-EP(6x8) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 2.7V~3.6V 104MHz 2Gbit WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Memory ,NAND FLASH | |
| Datenblatt | GigaDevice Semicon Beijing GD5F2GQ5UEYIGR | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ | |
| Interface | SPI | |
| Voltage - Supply | 2.7V~3.6V | |
| Clock Frequency | 104MHz | |
| Memory Size | 2Gbit | |
| Page Programming Time (Tpp) | 300us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Standby Supply Current | 50uA | |
| Write Cycle Time(tWC) | - | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
Einkaufsleitfaden
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