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GigaDevice Semicon Beijing GD5F2GM7UEYIGR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GD5F2GM7UEYIGR |
| EBEE-Teilenummer | E822412867 |
| Gehäuse | WSON-8(8x6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 2.7V~3.6V 133MHz 2Gbit WSON-8(8x6) NAND FLASH ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7286 | $ 4.7286 |
| 10+ | $4.0598 | $ 40.5980 |
| 30+ | $3.6622 | $ 109.8660 |
| 100+ | $3.2600 | $ 326.0000 |
| 500+ | $3.0745 | $ 1537.2500 |
| 1000+ | $2.9919 | $ 2991.9000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Memory ,NAND FLASH | |
| Datenblatt | GigaDevice Semicon Beijing GD5F2GM7UEYIGR | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ | |
| Interface | SPI | |
| Voltage - Supply | 2.7V~3.6V | |
| Clock Frequency | 133MHz | |
| Memory Size | 2Gbit | |
| Page Programming Time (Tpp) | 320us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Standby Supply Current | 50uA | |
| Write Cycle Time(tWC) | - | |
| Program / Erase Cycles | 80,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $4.0598 | $ 40.5980 |
| 30+ | $3.6622 | $ 109.8660 |
| 100+ | $3.2600 | $ 326.0000 |
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| 1000+ | $2.9919 | $ 2991.9000 |
