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GigaDevice Semicon Beijing GD5F1GQ5UEYIGY
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GD5F1GQ5UEYIGY |
| EBEE-Teilenummer | E82886520 |
| Gehäuse | WSON-8-EP(6x8) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | 2.7V~3.6V 133MHz 1Gbit WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2400 | $ 4.2400 |
| 10+ | $3.7666 | $ 37.6660 |
| 30+ | $3.4848 | $ 104.5440 |
| 100+ | $3.1999 | $ 319.9900 |
| 480+ | $3.0675 | $ 1472.4000 |
| 960+ | $3.0083 | $ 2887.9680 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Memory ,NAND FLASH | |
| Datenblatt | GigaDevice Semicon Beijing GD5F1GQ5UEYIGY | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ | |
| Interface | SPI | |
| Voltage - Supply | 2.7V~3.6V | |
| Clock Frequency | 133MHz | |
| Memory Size | 1Gbit | |
| Page Programming Time (Tpp) | 400us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Standby Supply Current | 50uA | |
| Write Cycle Time(tWC) | - | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2400 | $ 4.2400 |
| 10+ | $3.7666 | $ 37.6660 |
| 30+ | $3.4848 | $ 104.5440 |
| 100+ | $3.1999 | $ 319.9900 |
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| 960+ | $3.0083 | $ 2887.9680 |
