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GigaDevice Semicon Beijing GD5F1GQ5UEYIGR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GD5F1GQ5UEYIGR |
| EBEE-Teilenummer | E82829047 |
| Gehäuse | WSON-8-EP(6x8) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | 3A991B1A |
| Beschreibung | 2.7V~3.6V 133MHz 1Gbit WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.4950 | $ 5.4950 |
| 10+ | $4.8584 | $ 48.5840 |
| 30+ | $4.4799 | $ 134.3970 |
| 100+ | $3.5029 | $ 350.2900 |
| 500+ | $3.3271 | $ 1663.5500 |
| 1000+ | $3.2463 | $ 3246.3000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Memory ,NAND FLASH | |
| Datenblatt | GigaDevice Semicon Beijing GD5F1GQ5UEYIGR | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ | |
| Interface | SPI | |
| Voltage - Supply | 2.7V~3.6V | |
| Clock Frequency | 133MHz | |
| Memory Size | 1Gbit | |
| Page Programming Time (Tpp) | 400us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Standby Supply Current | 50uA | |
| Write Cycle Time(tWC) | - | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
Einkaufsleitfaden
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|---|---|---|
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| 10+ | $4.8584 | $ 48.5840 |
| 30+ | $4.4799 | $ 134.3970 |
| 100+ | $3.5029 | $ 350.2900 |
| 500+ | $3.3271 | $ 1663.5500 |
| 1000+ | $3.2463 | $ 3246.3000 |
