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GigaDevice Semicon Beijing GD25Q80EEIGR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GD25Q80EEIGR |
| EBEE-Teilenummer | E82874937 |
| Gehäuse | USON-8-EP(2x3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 8Mbit SPI 133MHz USON-8-EP(2x3) NOR FLASH ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Memory ,NOR FLASH | |
| Datenblatt | GigaDevice Semicon Beijing GD25Q80EEIGR | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ | |
| Interface | SPI | |
| Voltage - Supply | 2.7V~3.6V | |
| Clock Frequency | 133MHz | |
| Memory Size | 8Mbit | |
| Page Programming Time (Tpp) | 400us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 20 Years | |
| Standby Supply Current | 11uA | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | - |
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