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GigaDevice Semicon Beijing GD25Q256DYIGR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GD25Q256DYIGR |
| EBEE-Teilenummer | E82758337 |
| Gehäuse | WSON-8-EP(6x8) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | 3A991B1A |
| Beschreibung | 256Mbit SPI 104MHz WSON-8-EP(6x8) NOR FLASH ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
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| 10+ | $5.1089 | $ 51.0890 |
| 30+ | $4.7988 | $ 143.9640 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Memory ,NOR FLASH | |
| Datenblatt | GigaDevice Semicon Beijing GD25Q256DYIGR | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | - | |
| Interface | SPI | |
| Voltage - Supply | 2.7V~3.6V | |
| Clock Frequency | 104MHz | |
| Memory Size | 256Mbit | |
| Page Programming Time (Tpp) | 400us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 20 Years | |
| Standby Supply Current | 12uA | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 220ms |
Einkaufsleitfaden
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