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GeneSiC Semiconductor MBR200200CTR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MBR200200CTR |
| EBEE-Teilenummer | E85668667 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 1 pair common anode 920mV@100A 100A Schottky Diodes ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $228.7641 | $ 228.7641 |
| 200+ | $91.2788 | $ 18255.7600 |
| 480+ | $88.2293 | $ 42350.0640 |
| 1000+ | $86.7220 | $ 86722.0000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Diodes ,Diode Arrays | |
| Datenblatt | GeneSiC Semiconductor MBR200200CTR | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 3mA@200V | |
| Rückspannung (Vr) | 200V | |
| Diodenkonfiguration | 1 pair common anode | |
| Vorwärtsspannung (Vf-If) | 920mV@100A | |
| Zurückerte Strom | 100A |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $228.7641 | $ 228.7641 |
| 200+ | $91.2788 | $ 18255.7600 |
| 480+ | $88.2293 | $ 42350.0640 |
| 1000+ | $86.7220 | $ 86722.0000 |
