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FUXINSEMI MURS360BT3G-F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MURS360BT3G-F |
| EBEE-Teilenummer | E818723430 |
| Gehäuse | SMB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 1.28V@4A 50ns Independent Type 4A 600V SMB Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0708 | $ 0.3540 |
| 50+ | $0.0620 | $ 3.1000 |
| 150+ | $0.0575 | $ 8.6250 |
| 500+ | $0.0542 | $ 27.1000 |
| 3000+ | $0.0484 | $ 145.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | FUXINSEMI MURS360BT3G-F | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@600V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.28V@4A | |
| Current - Rectified | 4A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 100A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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