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FUXINSEMI MURS160T3G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MURS160T3G-FS |
| EBEE-Teilenummer | E85563724 |
| Gehäuse | SMB(DO-214AA) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.25V@1A 50ns Independent Type 1A 600V SMB(DO-214AA) Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | FUXINSEMI MURS160T3G-FS | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@4V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 35A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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