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FUXINSEMI MURA220T3G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MURA220T3G-FS |
| EBEE-Teilenummer | E87503123 |
| Gehäuse | SMA(DO-214AC) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 950mV@2A 25ns Independent Type 2A 200V SMA(DO-214AC) Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | FUXINSEMI MURA220T3G-FS | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 2uA@4V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@2A | |
| Current - Rectified | 2A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 40A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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