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FUXINSEMI MURA160T3G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MURA160T3G-FS |
| EBEE-Teilenummer | E87503110 |
| Gehäuse | SMA(DO-214AC) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.25V@1A 50ns Independent Type 1A 600V SMA(DO-214AC) Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0625 | $ 0.6250 |
| 100+ | $0.0497 | $ 4.9700 |
| 300+ | $0.0434 | $ 13.0200 |
| 1000+ | $0.0386 | $ 38.6000 |
| 5000+ | $0.0302 | $ 151.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | FUXINSEMI MURA160T3G-FS | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@4V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 35A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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| 300+ | $0.0434 | $ 13.0200 |
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