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FUXINSEMI 2SK3018W
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SK3018W |
| EBEE-Teilenummer | E83018478 |
| Gehäuse | SOT-323 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 30V 100mA 13Ω@2.5V,1mA 200mW 1.5V@100uA 1 N-channel SOT-323 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0200 | $ 0.4000 |
| 200+ | $0.0156 | $ 3.1200 |
| 600+ | $0.0131 | $ 7.8600 |
| 3000+ | $0.0117 | $ 35.1000 |
| 9000+ | $0.0104 | $ 93.6000 |
| 21000+ | $0.0098 | $ 205.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | FUXINSEMI 2SK3018W | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 13Ω@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 13pF |
Einkaufsleitfaden
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