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CBI BC857DW
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BC857DW |
| EBEE-Teilenummer | E82836077 |
| Gehäuse | SOT-363 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 45V 300mW 125@2mA,5V 200mA PNP SOT-363 Bipolar (BJT) ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | CBI BC857DW | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | PNP | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 45V | |
| Current - Collector(Ic) | 200mA | |
| Number | 2 PNP | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| DC Current Gain | 125 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 15nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 650mV | |
| Transition frequency(fT) | 200MHz |
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