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BORN US1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | US1G |
| EBEE-Teilenummer | E829781458 |
| Gehäuse | SMA |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | BORN US1G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA@400V | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.4V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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