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BL(Shanghai Belling) BL6N120-A
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BL6N120-A |
| EBEE-Teilenummer | E82909399 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.2kV 6A 2.3Ω@10V,3A 200W 3V@250uA 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $1.1400 | $ 11.4000 |
| 50+ | $0.9701 | $ 48.5050 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | BL(Shanghai Belling) BL6N120-A | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2.9Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 63W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.96nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 122pF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V |
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