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HGSEMI LF353CN
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LF353CN |
| EBEE-Teilenummer | E841415969 |
| Gehäuse | DIP-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | DIP-8 FET Input Amplifiers ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2010 | $ 1.0050 |
| 50+ | $0.1578 | $ 7.8900 |
| 150+ | $0.1393 | $ 20.8950 |
| 500+ | $0.1162 | $ 58.1000 |
| 2500+ | $0.1060 | $ 265.0000 |
| 5000+ | $0.0998 | $ 499.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Integrated Circuits (ICs) ,Linear ,Amplifiers | |
| Datenblatt | HGSEMI LF353CN | |
| RoHS | ||
| Temperatur | 0℃~+70℃ | |
| Bahn nach Bahn | - | |
| Ruhestrom | 2.8mA | |
| Ausgangsstrom | - | |
| Maximale Netzteil (Vdd-Vss) | 36V | |
| Eingangsversatz Strom (Ios) | 1.5nA | |
| Anzahl Kanäle | 2 | |
| Spannung - Versorgung | -18V~18V | |
| Vos - Input Offset Voltage | 6mV | |
| Ib - Input Bias Current | 2.5nA | |
| Common Mode Rejection Ratio(CMRR) | 85dB | |
| Gain Bandwidth Product | 3MHz | |
| Slew Rate | 13V/us | |
| Input Offset Voltage Drift(Vos TC) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 150+ | $0.1393 | $ 20.8950 |
| 500+ | $0.1162 | $ 58.1000 |
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